盖世汽车讯 据外媒报导，东芝电子元件和存储装配股份有限公司（Toshiba Electronic Devices Storage Corporation）推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET，搭载其最新的第三代SiC MOSFET芯片，并采用外貌贴装TOLL封装。这些新器件合用在工业装备，例如开关电源及光伏发机电的功率调治器。MOSFET“TW027U65C”、“TW048U65C”及“TW083U65C”本日起批量出货。

图片来历：东芝

这些新产物是东芝第三代SiC MOSFET，采用通用外貌贴装TOLL封装，与TO-247及TO-247-4三木SEO-L(X)等通孔封装比拟，该封装可将器件体积缩小80%以上，并提高装备的功率密度。

TOLL封装还有具备比通孔封装更低的寄生阻抗，有助在降低开关损耗。作为四端子封装，开尔文毗连可用作栅极驱动的旌旗灯号源端子。这降低了封装内源极线电感的影响，实现了高速开关机能；以TW048U65C为例，其导通损耗及关断损耗别离比东芝现有产物低约55%及25%，这将有助在降低装备的功率损耗。

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